Ķīmiskā tvaika nogulsnēšanās process
Ķīmiskā tvaika nogulsnēšanās process ir sadalīts trīs svarīgos posmos: reakcijas gāze izkliedējas uz pamatnes virsmas, reakcijas gāze adsorbējas uz pamatnes virsmas, uz pamatnes virsmas notiek ķīmiska reakcija, veidojot cietu nogulšņu, un gāzes fāzes blakusprodukti atdalās no pamatnes virsmas. Visizplatītākās ķīmiskās tvaiku nogulsnēšanās reakcijas ir: termiskās sadalīšanās reakcijas, ķīmiskās sintēzes reakcijas un ķīmiskās transporta reakcijas. Parasti TiC vai TiN tiek nogulsnēts, ievadot TiCl4, H2, CH4 un citas gāzes reakcijas kamerā pie 850 ~ 1100 ℃ un veidojot pārklājumu uz pamatnes virsmas, izmantojot ķīmisku reakciju.